存在感应频移情况下Si/SiGe自旋量子比特的优化电学控制
介观与纳米尺度物理
2018-10-30 v1
摘要
限制在量子点中的电子自旋因其长相干时间而成为实现高保真量子比特的极具吸引力的系统。然而，随着自旋相干时间的延长，控制保真度可能受限于系统性误差而非退相干，这使得表征并抑制其影响对于进一步提升至关重要。在此我们报道，Si/SiGe自旋量子比特的控制保真度可能受微波感应的电偶极自旋共振频移所限制，并且可通过优化控制脉冲加以改善。随着控制微波幅度的增加，我们观察到除Rabi频率增大外还存在量子比特共振频率的偏移。我们揭示，这导致采用传统幅度调制微波脉冲的控制保真度低于99.8%。为实现门保真度>99.9%，我们引入了一种正交控制方法，并通过随机基准测试实验验证了该方法。我们的发现有助于实现量子点中电子自旋的超高精度量子比特。
引用
@article{arxiv.1810.12040,
title = {Optimized electrical control of a Si/SiGe spin qubit in the presence of an induced frequency shift},
author = {K. Takeda and J. Yoneda and T. Otsuka and T. Nakajima and M. R. Delbecq and G. Allison and Y. Hoshi and N. Usami and K. M. Itoh and S. Oda and T. Kodera and S. Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.12040},
year = {2018}
}