天然硅中 $^{31}\mathrm{P}$ 电子自旋量子比特的高保真度绝热反转
量子物理
2015-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
半导体中自旋高保真度量子控制的主要限制在于宿主材料核自旋浴产生的强涨落场。本文演示了通过对束缚于天然硅中 P 原子的电子自旋量子比特应用绝热反转而非窄带脉冲，显著提高了单量子比特门的保真度。我们实现了 97% 的反转保真度，并在自旋共振谱和自旋相干时间中观测到了与存在额外交换耦合施主一致的迹象。这项工作突出了绝热反转技术在涨落环境中进行自旋控制的有效性。
引用
@article{arxiv.1312.4647,
title = {High-fidelity adiabatic inversion of a $^{31}\mathrm{P}$ electron spin qubit in natural silicon},
author = {Arne Laucht and Rachpon Kalra and Juha T. Muhonen and Juan P. Dehollain and Fahd A. Mohiyaddin and Fay Hudson and Jeffrey C. McCallum and David N. Jamieson and Andrew S. Dzurak and Andrea Morello},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.4647},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 figures