半导体中的电子自旋相干性：面向基于自旋的固态量子计算机架构的考量
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v3 量子物理
摘要
我们理论上考虑了两种量子计算机架构中的自旋相干时间，其中量子比特是束缚于硅中 P 掺杂杂质或位于 GaAs 量子点中的电子自旋。我们指出，低温去相干主要由自旋-自旋相互作用通过谱扩散和偶极翻转弛豫机制引起。这些贡献导致 1-100 s 计算得到的自旋相干时间，远高于基于 测量的以前估计。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0203101,
title = {Electron spin coherence in semiconductors: Considerations for a spin-based solid state quantum computer architecture},
author = {Rogerio de Sousa and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203101},
year = {2009}
}
备注
Role of the dipolar interaction clarified; Included discussion on the approximations employed in the spectral diffusion calculation. Final version to appear in Phys. Rev. B