实际限制势中量子点单电子自旋的栅极控制：各向异性效应
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v1
摘要
在下一代非电荷基逻辑的近期提案中，有一种理念认为可以俘获单电子，并通过施加栅极势来操控其自旋。在本文中，我们针对二维静电限制量子点中的实际（非对称）限制势，给出了此类自旋在单电子器件中的数值模拟。利用解析和数值技术，我们表明破坏限制势的面内旋转对称性会对施加栅极势时 g 因子的可调性产生显著影响。特别是，各向异性将可调性范围扩展到了更大的量子点。
引用
@article{arxiv.0811.4201,
title = {Gate control of a quantum dot single-electron spin in realistic confining potentials: anisotropy effects},
author = {Sanjay Prabhakar and James E. Raynolds},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.4201},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 13 figures