基于门控电势对称性的横向 GaAs 量子点中自旋量子比特的控制

我们研究了量子点对称性对单电子 GaAs 自旋量子比特中拉比频率和声子诱导自旋弛豫速率的影响。我们发现，对磁场方向的各向异性依赖与门控电势的选择无关。此外，我们发现在具有 ${\bf C}_{1{\rm v}}$、${\bf C}_{2{\rm v}}$ 或 ${\bf C}_{n}$（$n\neq4r$）对称性的系统中，量子点相对于晶格框架的相对取向是相关的。为展示门控电势形状对自旋量子比特寿命的重要影响，我们将等边三角形、正方形和矩形限制势的效应与谐波势的已知结果进行比较。在所研究的情况中，揭示了增强的自旋量子比特寿命，对于等边三角形门控达到了近六个数量级的提升。