用于自旋量子比特电控制的横向GaAs和Si/SiGe量子点的最优几何结构
介观与纳米尺度物理
2016-06-15 v2
摘要
我们研究了相对于晶体坐标的磁场方向和量子点取向对门控半导体量子点中实现的电控量子比特质量的影响。我们发现，由于自旋轨道相互作用的各向异性，改变这两种取向可以调节量子比特，以优化其与声子以及控制电场的耦合之比。我们发现了仅通过重新定向磁场即可达到这种最优设置的条件，以及何时需要量子点的特定定位。我们还发现，自旋轨道相互作用强度的相对符号的知识允许选择一种鲁棒的最优量子点几何结构，其主轴沿[110]或[10]，其中量子比特总是可以通过重新定向磁场来优化。
引用
@article{arxiv.1601.05881,
title = {Optimal geometry of lateral GaAs and Si/SiGe quantum dots for electrical control of spin qubits},
author = {Ognjen Malkoc and Peter Stano and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05881},
year = {2016}
}
备注
Revised version : 12 pages, 4 figures. Published version with minor adjustments to text and updated references