准一维耦合量子点中的自旋松弛率
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 材料科学
摘要
我们理论性地研究了准一维耦合双半导体量子点的自旋松弛率。我们考虑InSb和GaAs基体系统中存在Rashba自旋轨道相互作用的情况，该相互作用导致反向自旋态混合，允许通过声子介导的能级间跃迁。我们考虑了锡嵌段半导体中所有声子模式和耦合机制的贡献。结果表明，随着间隙宽度的变化，自旋松弛率显示出锋利的尖峰型最大值，在该宽度值可由外部磁场控制。这种显著行为与结构中的对称-反对称能级分裂相关。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508303,
title = {Spin relaxation rates in quasi-one-dimensional coupled quantum dots},
author = {C. L. Romano and P. I. Tamborenea and S. E. Ulloa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508303},
year = {2009}
}
备注
4 figures, Submitted to Applied Physics Letters