半导体量子点中的自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们研究了 GaAs 量子点中导致自旋翻转的物理过程。计算了与自旋轨道耦合相关、并在量子点中电子非弹性弛豫期间引起自旋翻转的不同机制的速率，涵盖有磁场与无磁场情形。我们表明，当电子波函数在所有方向局域化时问题的零维特性导致与初基晶胞及异质界面缺乏反演中心相关的最有效自旋翻转机制被冻结，结果自旋翻转速率异常低。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907367,
title = {Spin relaxation in semiconductor quantum dots},
author = {Alexander V. Khaetskii and Yuli V. Nazarov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907367},
year = {2009}
}
备注
6 pages, RevTex