半导体量子点中的自旋弛豫
凝聚态物理
2012-07-02 v2
摘要
在精确对角化包含自旋轨道耦合的电子哈密顿量后，研究了GaAs量子点中由电子-声学声子散射导致的自旋弛豫时间。详细研究了磁场、量子点尺寸、温度以及电场对自旋弛豫时间的不同影响。此外，我们表明文献中广泛使用的微扰方法不足以解释电子结构，因此也无法准确计算自旋弛豫时间。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310039,
title = {Spin relaxations in semiconductor quantum dots},
author = {J. L. Cheng and M. W. Wu and C. Lü},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310039},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 9 figures in eps format