Si/SiGe横向耦合量子点中单电子自旋弛豫理论
介观与纳米尺度物理
2015-03-17 v3
摘要
我们研究了在自旋-轨道相互作用存在下，声学声子诱导的单电子Si/SiGe横向耦合量子点中的自旋弛豫。在单量子点和双量子点中，在面内和垂直磁场下数值计算了弛豫率。考虑了横向和纵向极化的声学声子的形变势，并讨论了它们对总弛豫率的贡献与膨胀和剪切势常数的关系。我们发现，在单量子点中，自旋弛豫率大致与磁场的七次方成正比，这与最近的实验一致。在双量子点中，弛豫率对量子点能谱结构更为敏感，因为它通常由自旋热点主导。自旋-轨道相互作用的各向异性导致了易通道，即弛豫被强烈抑制的特定磁场方向。定量上，由于缺乏压电声子势和通常较弱的自旋-轨道相互作用，硅中的自旋弛豫率通常比砷化镓中低两个数量级。
引用
@article{arxiv.1101.3858,
title = {Theory of Single Electron Spin Relaxation in Si/SiGe Lateral Coupled Quantum Dots},
author = {Martin Raith and Peter Stano and Jaroslav Fabian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.3858},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 9 figures