Si/SiGe 量子点中单态-三重态量子比特的声子辅助弛豫与退相干
介观与纳米尺度物理
2018-05-29 v5 量子物理
摘要
我们理论研究了 SiGe/Si/SiGe 异质结构中侧向双量子点内两个电子自旋态的声子诱导弛豫与退相干。我们考虑了两类单态-三重态自旋量子比特，并利用 Bloch-Redfield 理论计算了它们的弛豫与退相干时间，特别是作为能级杂化、温度、磁场、自旋轨道相互作用以及量子点间失谐的函数。我们表明，通常用于操控自旋量子比特的磁场梯度可能使弛豫时间降低一个数量级以上。利用这一见解，我们确定了磁场梯度不显著影响弛豫时间的最优区域，并提出了最长衰减时间的区域。我们考虑了单声子和双声子过程的影响，并建议了如何在实验上验证我们的理论。我们在此处发现的基于 Si 的量子点的自旋寿命显著长于已报道的 GaAs 对应物。
引用
@article{arxiv.1511.07369,
title = {Phonon-assisted relaxation and decoherence of singlet-triplet qubits in Si/SiGe quantum dots},
author = {Viktoriia Kornich and Christoph Kloeffel and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.07369},
year = {2018}
}