硅基MOS量子点中单电子自旋弛豫时间的测量
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v1
摘要
我们报告了在Si/SiO2基量子点(QD)的少电子体系中，对单个电子自旋的自旋弛豫时间T1的测量。利用电荷传感技术对量子点进行了能量谱分析。随后通过泵浦-探测方法在时域中测量了自旋弛豫时间。对于包含一个未配对自旋（很可能只有一个电子）的量子点，我们发现T1强烈依赖于外加磁场。讨论了导致观测到的自旋弛豫的可能机制。
引用
@article{arxiv.0909.2857,
title = {Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon MOS-Based Quantum Dot},
author = {M. Xiao and M. G. House and H. W. Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0909.2857},
year = {2013}
}
备注
11 pages, 4 figures