零外加磁场下单InAs量子点中电子自旋弛豫的温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1
摘要
通过时间分辨光致发光光谱学，在零外加磁场下测量了单个InAs量子点(QD)中带正电激子的温度依赖性电子自旋弛豫。实验结果表明，电子自旋弛豫明显分为两个不同的温度区间：(i) T < 50 K，自旋弛豫依赖于动态核自旋极化(DNSP)，并且如Merkulov等人所预测，近似与温度无关；(ii) T > 约50 K，自旋弛豫随温度升高而加快。提出了一个与超精细相互作用耦合的双LO声子散射过程模型，以解释较高温度下加速的电子自旋弛豫。
引用
@article{arxiv.1201.1125,
title = {Temperature dependence of electron-spin relaxation in a single InAs quantum dot at zero applied magnetic field},
author = {X. M. Dou and B. Q. Sun and D. S. Jiang and H. Q. Ni and Z. C. Niu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.1125},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures