掺杂浓度接近金属-绝缘体转变的体GaAs中电子自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2013-05-29 v1
摘要
我们利用自旋噪声光谱技术，测量了n型掺杂GaAs在4 K至80 K温度范围内、掺杂浓度从2.7×10^{-15} cm^{-3}至8.8×10^{-16} cm^{-3}的电子自旋弛豫率和积分自旋噪声功率。温度依赖的测量结果显示，对于较低掺杂的样品，存在从局域电子到自由电子的明显转变，并证实最高掺杂样品在所有温度下主要为自由电子。处于金属-绝缘体转变的样品在低温下表现出最长的自旋弛豫时间，而在70 K处观察到自旋弛豫率的明显交叉，最高掺杂样品在70 K以上显示出最长的自旋弛豫时间。
引用
@article{arxiv.0911.4084,
title = {Electron spin relaxation in bulk GaAs for doping densities close to the metal-to-insulator transition},
author = {M. Römer and H. Bernien and G. Müller and D. Schuh and J. Hübner and M. Oestreich},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.4084},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 4 figures