半绝缘 GaAs 中自旋扩散的测量
材料科学
2011-11-01 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们利用光学瞬态光栅光谱技术测量了体半绝缘 GaAs(100) 中光学取向电子的自旋扩散。陷阱与复合并未快速耗尽光激发的布居。自旋扩散系数为 88 +/- 12 cm2/s，在 15 K 至 150 K 的温度范围内大致恒定，自旋扩散长度至少为 450 nm。我们表明，利用自旋扩散来估计电子扩散系数是可行的。由于电子-电子相互作用，电子扩散比自旋扩散大 1.4 倍。
引用
@article{arxiv.1110.6874,
title = {Measurement of spin diffusion in semi-insulating GaAs},
author = {C. P. Weber and Craig A. Benko and Stanley C. Hiew},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.6874},
year = {2011}
}