1 {\mu}m 厚 n-GaAs 通道中的非均匀电流密度和自旋积累
材料科学
2015-06-03 v2
摘要
通过 GaAs 中自旋极化的截面成像，测量了由自旋提取到 (Ga,Mn)As 接触区而在 n-GaAs 通道中产生的自旋积累。在 1 \mum 厚的 n-GaAs 通道中观察到了自旋极化，其最大极化位于接触边缘附近，与最大电流密度位置相反。常用的电子漂移和自旋扩散一维模型无法解释这一观察结果。它还导致从具有强偏压和距离依赖性的 Hanle 曲线中得出不正确的自旋寿命。然而，基于二维漂移 - 扩散模型的数值模拟很好地重现了观察到的自旋分布，并得出了现实的自旋寿命。
引用
@article{arxiv.1111.1523,
title = {Nonuniform current density and spin accumulation in a 1 {\mu}m thick n-GaAs channel},
author = {Bernhard Endres and Mariusz Ciorga and Robert Wagner and Sebastian Ringer and Martin Utz and Dominique Bougeard and Dieter Weiss and Christian H. Back and Günther Bayreuther},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.1523},
year = {2015}
}