p 型 GaAs 量子阱中自旋积聚的电探测

R. Mattana; J. -M. George; H. Jaffres; F. Nguyen Van Dau; A. Fert; B. Lepine; A. Guivarc'h; G. Jezequel

doi:10.1103/PhysRevLett.90.166601

p 型 GaAs 量子阱中自旋积聚的电探测

材料科学 2009-11-07 v2

作者: R. Mattana , J. -M. George , H. Jaffres , F. Nguyen Van Dau , A. Fert , B. Lepine , A. Guivarc'h , G. Jezequel

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们报告了实验结果，其中从 $GaMnAs$ 铁磁电极通过 AlAs 障壁注入偏振电流到 $GaAs$ 量子阱中。检测 $GaAs$ 阱中自旋极化的方式是测量电流（注入到第二个 $GaMnAs$ 铁磁电极）随其磁化方向的依赖性。我们的结果可以用 $GaAs$ 阱中非relaxation 自旋化势分裂（即自旋积聚）来解释。我们讨论了实现我们观察到的大效应所需的 GaAs 中空子自旋松弛时间条件。

引用

@article{arxiv.cond-mat/0211409,
  title  = {Electrical detection of spin accumulation in a p-type GaAs quantum well},
  author = {R. Mattana and J. -M. George and H. Jaffres and F. Nguyen Van Dau and A. Fert and B. Lepine and A. Guivarc'h and G. Jezequel},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211409},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages - 2 figues; one added note; some numbers corrected on page 1

p 型 GaAs 量子阱中自旋积聚的电探测

摘要

引用

备注

相关论文