通过 MgO 隧道势垒从铁磁体向 InAs 异质结构注入电自旋
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1 材料科学
摘要
我们研究了通过 MgO 隧道势垒将自旋从 Ni81Fe19 铁磁体电注入到 InAs 量子阱中的过程，旨在应用于基于 InAs 的自旋场效应晶体管。在非局域和局域自旋阀装置中均探测到了注入的自旋极化电流，并分析了自旋扩散长度和自旋注入效率。在 1.4 K 温度下，非局域装置中的自旋扩散长度估计为 1.6 {\mu}m。Ni81Fe19/MgO/InAs 沉积样品的自旋极化率测得为 6.9%，而经过额外的热处理后，观测到的自旋极化率提升至 8.9%。
引用
@article{arxiv.1304.1671,
title = {Electrical spin injection from ferromagnet into an InAs heterostructures through MgO tunnel barrier},
author = {T. Ishikura and Z. Cui and L-K. Liefeith and K. Konishi and Kanji Yoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1671},
year = {2015}
}