室温下CoFe/MgO/Ge接触中的电自旋注入与积累
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
我们首次报道了在室温下，利用三端Hanle测量，在CoFe/MgO/中等掺杂n-Ge接触中实现全电学自旋注入与探测。在室温下观察到了约170 kΩ·μm²的可观自旋信号，使用单步隧穿模型分析得出Ge中的自旋寿命约为120 ps，自旋扩散长度约为683 nm。观察到的自旋信号表现出不对称的偏压和温度依赖性，这与隧穿过程的不对称性密切相关。
引用
@article{arxiv.1108.3145,
title = {Electrical spin injection and accumulation in CoFe/MgO/Ge contacts at room temperature},
author = {Kun-Rok Jeon and Byoung-Chul Min and Young-Hun Jo and Hun-Sung Lee and Il-Jae Shin and Chang-Yup Park and Seung-Young Park and Sung-Chul Shin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3145},
year = {2015}
}
备注
28 pages, 5 figures