锗中的电自旋注入与输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-27 v1
摘要
我们报告了在体锗（Ge）中电自旋注入、输运和探测的首次实验演示。n型锗中的非局域磁电阻在高达225K的温度下仍可观测到。我们的结果表明，n型锗中的自旋弛豫率与动量散射率密切相关，这与预测的锗的Elliot-Yafet自旋弛豫机制一致。我们还研究了n型锗中非局域磁电阻和自旋寿命的偏压依赖性。
引用
@article{arxiv.1103.5095,
title = {Electrical spin injection and transport in Germanium},
author = {Yi Zhou and Wei Han and Li-Te Chang and Faxian Xiu and Minsheng Wang and Michael Oehme and Inga A. Fischer and Joerg Schulze and Roland. K. Kawakami and Kang L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.5095},
year = {2015}
}