锗中传导电子的本征自旋寿命

我们研究了锗中传导电子由于电子-声子散射导致的本征自旋弛豫。我们推导了通用自旋取向的谷内和谷间自旋翻转矩阵元，并量化了由此产生的自旋弛豫各向异性。谷内自旋翻转矩阵元的形式是从L点（Ge中热电子聚集处）附近的紧凑自旋相关$\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$哈密顿量的本征态推导出来的。通过谷内和谷间矩阵元的解析积分得到的自旋寿命与通过精细数值方法得到的独立结果显示出极好的一致性。