注入 GaAs 和 GaN 电子的自旋寿命
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
采用一种包含声子和离子杂质散射以及Elliott-Yafet、D'yakonov-Perel和Bir-Aronov-Pikus机制的自旋散射模型来确定GaAs和GaN中电子的自旋松弛时间。使用从经验势函数生成的长程紧束缚哈密顿量得到的准确能带。推导出的温度依赖的自旋松弛寿命与测量值在GaAs中良好一致。我们进一步表明，随着注入电子能量的增加，自旋寿命迅速下降，并在纵向光声子能量处达到局部最大值。我们的计算预测，在纯GaN中的电子自旋寿命在所有温度下都约高出GaAs约三个数量级，这主要是由于较低的自旋轨道相互作用和更高的导带态密度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306032,
title = {Spin lifetimes of electrons injected into GaAs and GaN},
author = {S. Krishnamurthy and N. Newman and M. van Schilfgaarde},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306032},
year = {2009}
}
备注
8 pages and 3 figures