高迁移率低密度二维电子系统第一激发子带中的电子自旋动力学
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们报道了在GaAs/Al0.35Ga0.65As异质结构中高迁移率低密度二维电子系统第一激发子带中电子自旋相干性的时间分辨克尔旋转测量。虽然电子的横向自旋寿命(T2*)随磁场增加而单调减小，但它对温度具有非单调依赖性，在36 K时达到峰值596 ps，这表明子带间电子-电子散射对电子自旋弛豫的影响。自旋寿命可能足够长，可用于激发子带中电子的潜在器件应用。
引用
@article{arxiv.0902.3875,
title = {Spin dynamics of electrons in the first excited subband of a high-mobility low-density 2D electron system},
author = {Haihui Luo and Xuan Qian and Xuezhong Ruan and Yang Ji},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.3875},
year = {2015}
}