高迁移率硅量子阱中电子自旋共振的电探测
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v4 强关联电子
摘要
研究了高迁移率二维电子体(由Si/SiGe异质结构构成)中电子自旋共振(ESR)吸收引起的电阻率变化。对于特定的洛伦兹能级配置，结果表明ESR信号的主要原因是自旋极化度的降低，而非电子加热效应。在3.55 T的面内磁场下，得到电子自旋松弛时间T_1约为1 ms。高频自旋预cession解释了为何T_1如此漫长。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512041,
title = {Electrically detected electron spin resonance in a high mobility silicon quantum well},
author = {Junya Matsunami and Mitsuaki Ooya and Tohru Okamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512041},
year = {2007}
}
备注
to be published in Phys. Rev. Lett