单电子陷阱自旋共振信号的电学检测方案

I. Martin; D. Mozyrsky; H. W. Jiang

单电子陷阱自旋共振信号的电学检测方案

材料科学 2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理

作者: I. Martin , D. Mozyrsky , H. W. Jiang

摘要

我们研究了一种对场效应晶体管 (FET) 导电沟道附近被俘获的单电子自旋共振 (ESR) 进行电学检测的方案。在该方案中，被俘获电子自旋的共振 Rabi 振荡引起浅陷阱平均占据率的改变，这可以通过 FET 沟道电阻率的变化来检测。我们表明，沟道电阻率对射频场频率的依赖关系在陷阱中电子自旋的 Larmor 频率处可能表现为峰或谷。

关键词

电学检测电子自旋共振单电子陷阱 Rabi 振荡场效应晶体管

引用

@article{arxiv.cond-mat/0208438,
  title  = {A scheme for electrical detection of spin resonance signal from a single electron trap},
  author = {I. Martin and D. Mozyrsky and H. W. Jiang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208438},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages, 2 eps figures

相关论文

查看更多相关论文 →