利用电子自旋共振探测硅 MOS 异质结构中的带尾态
材料科学
2012-01-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了一种电子自旋共振（ESR）方法，用于表征金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）器件中 Si/SiO2 界面处带尾态中的浅层电子俘获，并在两个由不同实验室制造的 MOS 器件上进行了演示。尽管这两个器件在低温（4.2 K）下表现出相似的峰值迁移率，但我们的 ESR 数据揭示了它们 Si/SiO2 界面质量的显著差异，具体表现为 Si/SiO2 界面处浅层俘获电荷数量相差一个数量级。因此，我们的 ESR 方法允许在低电子密度下对 Si/SiO2 界面质量进行定量评估，而在该密度下传统的迁移率测量无法进行。
引用
@article{arxiv.1110.0757,
title = {Probing Band-Tail States in Silicon MOS Heterostructures with Electron Spin Resonance},
author = {R. M. Jock and S. Shankar and A. M. Tyryshkin and Jianhua He and K. Eng and K. D. Childs and L. A. Tracy and M. P. Lilly and M. S. Carroll and S. A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.0757},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 3 figures