观测与操控 SiO$_2$/Si 界面电荷载济子分布
其他凝聚态物理
2024-05-29 v1 应用物理
摘要
我们利用低能微子对 Si 基 MOS 电容器中 SiO/Si 界面电荷载济子浓度随深度和电场分布进行制图。结果表明，Si 中各向异性键中心微子亚态的形成可直接衡量电子结构的局部变化。通过微子在局部停止和探测深度，可直接提取耗空区宽度的延伸情况。此外，观察到由于氧化层中固定正电荷引起的镜像电荷及像力效应，在 Si 侧面形成的电子堆积。我们的工作显著扩展了 SR 旋转技术的应用范围，为进一步研究半导体器件界面电荷载济子密度的直接观测与操控奠定了基础。
引用
@article{arxiv.2405.18211,
title = {Observation and manipulation of charge carrier distribution at the SiO$_2$/Si interface},
author = {Maria M. Martins and Piyush Kumar and Marianne E. Bathen and Zaher Salman and Ulrike Grossner and Thomas Prokscha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.18211},
year = {2024}
}