利用 μSR 研究 HfIrSi 的超导能隙结构
超导电性
2020-01-08 v1
摘要
由于过渡金属的大原子半径，含 5d 电子的三元等原子比化合物中表现出强自旋轨道耦合（SOC）。SOC 在非传统超导的出现中起着重要作用。本文利用磁化、比热、零场与横场（ZF/TF）μ 子自旋弛豫/旋转（μSR）测量研究了 HfIrSi 的超导态。比热与磁化测量显示超导出现在 T_C = 3.6 K。由 TF-μSR 分析清楚可知，超流密度很好地由各向同性 BCS 型 s 波能隙结构描述。此外，由 TF-μSR 数据我们还估算了超导载流子密度 n_s = 6.6 ×10^{26} m^{-3}、伦敦穿透深度 λ_L(0) = 259.59 nm 以及有效质量 m* = 1.57 m_e。我们的零场 μ 子自旋弛豫数据表明在 T_C 以下无自发内场的明显迹象，这意味着 HfIrSi 中时间反演对称性得以保持。理论研究表明 Hf 与 Ir 原子沿晶格 c 轴强杂化，这导致该系统强三维性并屏蔽库仑相互作用。结果尽管该系统存在关联 d 电子，关联效应被削弱，使电子-声子耦合变得重要。
引用
@article{arxiv.1903.09361,
title = {Investigation of Superconducting Gap Structure in HfIrSi using muon spin relaxation/rotation},
author = {A. Bhattacharyya and K. Panda and D. T. Adroja and N. Kase and P. K. Biswas and Surabhi Saha and Tanmoy Das and M. R. Lees and A. D. Hillier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09361},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 4 figures