载流子掺杂铱氧化物绝缘体中由大自旋轨道耦合诱导的可能超导性：弱耦合方法

我们基于具有大自旋轨道耦合（SOC）的方形晶格上有效的$t_{2g}$三轨道Hubbard模型，研究载流子掺杂铱氧化物绝缘体Sr$_{2}$IrO$_{4}$中可能的超导性。通过随机相位近似数值求解超导（SC）能隙函数的线性化Eliashberg方程，我们系统地考察了具有可能配对对称性的单重态与三重态SC能隙函数以及超导性的参数依赖关系。对于与Sr$_{2}$IrO$_{4}$相关的现实SOC $\lambda$与洪德耦合$J/U$，即大$\lambda$与小$J/U$区域，我们发现带内反铁磁（AF）赝自旋$\bm{j}_{\text{eff}} = -\bm{l}+\bm{s}$涨落有利于电子掺杂中的$d_{x^{2}-y^{2}}$波赝自旋$j_{\text{eff}}=1/2$单重态配对。我们还发现$d_{x^{2}-y^{2}}$波配对随SOC增大与洪德耦合减小而更趋稳定。此外，我们展示在小$\lambda$与大$J/U$区域，空穴掺杂区域有利于$s_{\pm}$波单重态配对。$s_{\pm}$波配对的起源在于带间对散射，其由带内反铁磁自旋$\bm s$涨落引起。尽管考虑了赝自旋三重态配对的可能性，我们发现其在所有研究参数下均不利。也讨论了其他具有大SOC的强关联材料的实验后果。