大面积硅 MOSFET 中二维电子的自旋共振
材料科学
2009-12-20 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们报告了对大面积硅 MOSFET 的电子自旋共振 (ESR) 测量。我们观察到了 g 因子为 1.9999(1)、线宽为 0.6 G 的 ESR 信号，并发现该信号源于 Si/SiO2 界面处的二维 (2D) 电子。该信号及其强度对施加的栅极电压表现出显著的依赖性。在低于 MOSFET 阈值的栅极电压下，该信号来自弱束缚的孤立电子，其强度的类居里温度依赖性证明了这一点。阈值以上的情况似乎更为复杂。这些大面积 MOSFET 提供了通过调节栅极电压从绝缘区可控地调谐到导电区的能力，同时以光谱学方式监测二维电子自旋的状态。
关键词
引用
@article{arxiv.0710.1216,
title = {Spin resonance of 2D electrons in a large-area silicon MOSFET},
author = {S. Shankar and A. M. Tyryshkin and S. Avasthi and S. A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.1216},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 3 figures, submitted to Physica E special edition for EPS2DS-17