少层 exfoliated MoS2 器件的电阻检测自旋共振与 g 因子
介观与纳米尺度物理
2025-03-25 v2 材料科学
摘要
MoS2 最近涌现为实现量子器件和自旋器件应用的有前景材料。在此背景下，对 MoS2 g 因子随器件几何形状变化的物理理解尤为重要。电阻检测自旋共振 (RD-ESR) 可用于确定 micron 级器件的 g 因子。然而，其应用和 RD-ESR 研究受限于与 MoS2 形成 Schottky 接触或高电阻接触。本文利用具有 ohmic tin (Sn) 接触的天然 n 掺杂少层 MoS2 器件，使我们能够对器件中的自旋现象进行电气化学研究。通过 RD-ESR，我们确定少层 MoS2 的 g 因子约为 1.92，并观察到在我们测量范围内，g 因子值与电荷载流子浓度无关。
引用
@article{arxiv.2410.18758,
title = {Resistively detected electron spin resonance and g-factor in few-layer exfoliated MoS2 devices},
author = {Chithra H. Sharma and Appanna Parvangada and Lars Tiemann and Kai Rossnagel and Jens Martin and Robert H. Blick},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.18758},
year = {2025}
}
备注
4 figures, 7 pages