石墠/MoS₂基场效应晶体管中的自旋依赖光生电压
介观与纳米尺度物理
2025-05-20 v2 材料科学
其他凝聚态物理
摘要
最近的研究表明，太赫兹传感器能够有效检测石墠中 Dirac 费米子的自旋共振。相关的光生电测量技术允许从微波到太赫兹频率范围内探讨石墠中固有自旋轨道耦合及其拓扑性质。本文利用石墠/MoS₂基场效应晶体管，观察到吉兆赫频率范围内的磁共振光生电压信号，该信号独立于栅极偏置。相关自旋翻转过渡的色散变化令人惊讶地不受 MoS₂ 层影响。并行地，无论信号的极性或来源（whether 来自等离子体波整流还是热电效应），自旋相关信号始终表现为光生电压的下降。这种行为被解释为由于光生载流子的自旋依赖复合或散射导致系统自旋极化度的降低。理解高度灵敏的吉兆赫/太赫兹传感器中的各种光生电信号，为探索受亲缝效应（如自旋轨道耦合、拓扑性质和磁性）影响的二维量子材料中的自旋依赖机制提供了可能。
引用
@article{arxiv.2411.16328,
title = {Spin-dependent photovoltage in graphene/MoS2-based field-effect transistors},
author = {K. Dinar and J. Delgado-Notario and C. Bray and K. Maussang and E. Perez-Martin and B. Benhamou-Bui and C. Consejo and S. Ruffenach and S. S. Krishtopenko and L. Bonnet and M. Paillet and J. Torres and Y. M. Meziani and I. Rozhansky and B. Jouault and S. Nanot and F. Teppe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.16328},
year = {2025}
}
备注
23 pages, 6 figures in the main text and 6 in the supplementary materials