光子自旋霍尔效应中的拓扑相变

近年来二维交错材料的合成开辟了在半导体类狄拉克系统中研究光学自旋轨道相互作用的新兴机遇。我们揭示了石墨烯族材料中光子自旋霍尔效应的拓扑相变。研究表明，外静电场和高频圆偏振激光可实现电磁光束偏移的主动按需调控。光自旋霍尔效应呈现出与辐射自由度、材料性质的丰富依赖关系，并具有非平庸拓扑性质。我们发现光子霍尔偏移对载流子的自旋和谷性质敏感，为研究交错二维半导体中的自旋电子学与谷电子学提供了一条前所未有的途径。