孤立与晶格相界面 skyrmion 转变处的巨拓扑霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2021-05-19 v1 强关联电子
摘要
拓扑霍尔效应被广泛用于研究各类材料中的手性自旋织构。然而，在技术相关的薄膜中控制其大小的因素仍不确定。通过在一系列 Ir/Fe/Co/Pt 异质结中使用变温磁输运与实空间磁成像，我们在此报道：孤立 skyrmion 与无序 skyrmion 晶格之间的相边界处的手性自旋涨落导致拓扑霍尔电阻率以幂律增强达三个数量级。我们的工作揭示了 skyrmion 稳定性与构型在决定拓扑霍尔效应大小中的主导作用。
引用
@article{arxiv.2105.08245,
title = {Colossal topological Hall effect at the transition between isolated and lattice-phase interfacial skyrmions},
author = {M. Raju and A. P. Petrović and A. Yagil and K. S. Denisov and N. K. Duong and B. Göbel and E. Şaşıoğlu and O. M. Auslaender and I. Mertig and I. V. Rozhansky and C. Panagopoulos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.08245},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 3 figures