Mn$_{1.5}$PtSn 薄膜中的拓扑霍尔效应

具有非共面磁序的金属材料中的自旋手性可产生由 Berry 相位诱导的拓扑霍尔效应。在此,我们报道在 MgO(001)上通过磁控溅射生长的高质量 Mn$_{1.5}$PtSn 薄膜中观测到巨大的拓扑霍尔效应。拓扑霍尔电阻率在自旋重取向转变温度 $T_{s}=185$~K 以下直至 $\mu_{0}H \approx 4~$T 均存在。我们发现,最大拓扑霍尔电阻率与反常霍尔电阻率量级相当。由于其数值大小,拓扑霍尔效应在常规执行的磁测量数据相减之前即直接显现。此外,我们通过提取多种化学计量比(x~=~0.5, 0.25, 0.1)和薄膜厚度(t = 104, 52, 35~nm)下的效应,在 150~K 时最大拓扑霍尔电阻率介于 $0.76~\mu\Omega$cm 与 $1.55~\mu\Omega$cm 之间,从而强调了 Mn\textsubscript{2-x}PtSn 中拓扑霍尔效应的鲁棒性。