Mn$_{1.8}$PtSn 薄膜中拓扑输运特征的纯电学探测
介观与纳米尺度物理
2020-04-07 v2
摘要
非平凡磁拓扑的存在可产生非零的标量自旋手性，并随之产生拓扑霍尔或能斯特效应。反过来，拓扑输运信号可作为拓扑自旋结构的指示。这在自旋结构不易获取的薄膜或纳米图形化材料中尤为重要。通常，拓扑响应是通过将磁输运数据与独立的磁强计实验相结合来确定的。这种方法容易引入测量伪影。在本研究中，我们报道了在 K 自旋重取向温度以下的微图形化 MnPtSn 薄膜中观测到大的拓扑霍尔与能斯特效应。拓扑霍尔效应的大小 nm 接近块体 MnPtSn 中报道的值，而在同一微结构中测量的拓扑能斯特效应 nV K 与块体 MnGe（ nV K）报道的量级相近，后者是唯二报道过拓扑能斯特效应的另一种材料。我们利用数据作为模型系统引入了一个拓扑量，其可在无需独立磁强计数据的情况下探测拓扑输运效应的存在。因此，我们的方法使得在纳米图形化材料中研究拓扑输运也免于有害的磁化相关限制。
引用
@article{arxiv.1812.07902,
title = {All Electrical Access to Topological Transport Features in Mn$_{1.8}$PtSn Films},
author = {Richard Schlitz and Peter Swekis and Anastasios Markou and Helena Reichlova and Michaela Lammel and Jacob Gayles and Andy Thomas and Kornelius Nielsch and Claudia Felser and Sebastian T. B. Goennenwein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.07902},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 3 figures