由薄膜制备的 MnSi 纳米结构：磁输运与 Hall 效应
介观与纳米尺度物理
2018-06-13 v2
摘要
我们对体材、薄膜及纳米结构 MnSi 的（磁）输运性质（包括 Hall 效应）进行了比较研究。为了将我们的结果与已发表的数据相关联，我们对材料进行了广泛表征，从而确立了相对较好的样品质量。我们的分析表明，特别是对于薄膜和纳米结构材料，电子输运性质存在外在和内在贡献，我们通过对数据建模将它们分离。最后，我们在考虑外在贡献的情况下讨论了纳米结构 MnSi 的 Hall 效应数据，并探讨了在 skyrmion 相中检测拓扑 Hall 效应的问题。
引用
@article{arxiv.1706.04046,
title = {MnSi-nanostructures obtained from thin films: magnetotransport and Hall effect},
author = {D. Schroeter and N. Steinki and M. Schilling and A. Fernández Scarioni and P. Krzysteczko and T. Dziomba and H. W. Schumacher and D. Menzel and S. Süllow},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.04046},
year = {2018}
}