MnSi 薄膜在强磁场中的电子输运
强关联电子
2018-06-27 v2
摘要
我们展示了一项关于 MnSi 薄膜在强磁场中磁阻率的研究。我们确立了磁阻率可以借由自旋涨落理论来理解，这使我们能够将数据与体材料的研究进行比较。尽管体材料与薄膜数据在定性上高度相似，但存在明显的定量差异。我们提出这些差异反映了薄膜与体材料 MnSi 中自旋涨落谱的差异。
引用
@article{arxiv.1806.07710,
title = {Electronic transport in high magnetic fields of thin film MnSi},
author = {Nico Steinki and David Schroeter and Niels Wächter and Dirk Menzel and Hans Werner Schumacher and Ilya Sheikin and Stefan Süllow},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.07710},
year = {2018}
}
备注
submitted to Jounal of the Physical Society of Japan (JPSJ)