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高居里温度 MnBi 薄膜的输运自旋极化

材料科学 2015-05-20 v1

摘要

我们报告了对具有 628K 居里温度的高度织构化 MnBi 薄膜的结构、磁性和输运性质的研究。除了电阻率和磁化强度的详细测量外,我们通过 Andreev 反射谱测量了 MnBi 的输运自旋极化,并进行了 MnBi 的全相对论能带结构计算。观察到自旋极化从 51±151\pm1% 到 63±163\pm1%,与计算结果以及 MnBi 接触中观察到的大磁阻现象一致。能带结构计算表明,尽管费米能级处的态密度几乎相同,但费米速度的巨大差异导致了 MnBi 的高输运自旋极化。讨论了磁化强度值与自旋极化值之间的相关性。

关键词

引用

@article{arxiv.1012.2486,
  title  = {Transport Spin Polarization of High-Curie Temperature MnBi Films},
  author = {P. Kharel and P. Thapa and P. Lukashev and R. F. Sabirianov and E. Y. Tsymbal and D. J. Sellmyer and B. Nadgorny},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1012.2486},
  year   = {2015}
}