室温 Curie 磁性 Mn5Ge3 薄层的自旋极化与电子结构
强关联电子
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
德氏基合金在集成于conventional Si 基电子器件方面具有巨大的潜力，因其具备良好的自旋电子学应用前景。Mn5Ge3 在约 295K 的 Curie 温度以下表现出强磁性。我们使用点接触Andre反射 (PCAR) 光谱学手段测量了生长于 Ge(111) 上的 Mn5Ge3 薄层的自旋极化。此外，我们利用密度泛函理论计算了 Mn5Ge3 bulk 在扩散和波致 regimes 中的自旋极化。测得的自旋极化值为 Pc=43+/-5%，与我们的理论估计值相一致，分别为扩散极限下的 PDFT=10+/-5% 和波致极限下的 35+/-5%。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407001,
title = {Spin Polarization and Electonic Structure of Room-Curie Ferromagnetic Mn5Ge3 Epilayers},
author = {R. P. Panguluri and Changgan Zeng and H. H. Weitering and J. M. Sullivan and S. C. Erwin and B. Nadgorny},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407001},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 3 figures