稀磁半导体 (Ga,Mn)Sb 中的非弹性散射与自旋极化
超导电性
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
点接触安德烈夫反射 (PCAR) 技术已被用于测量某些稀磁半导体的自旋极化，例如窄带隙 (In,Mn)Sb 以及宽带隙 (Ga,Mn)As。虽然在 (In,Mn)Sb 中已证实了常规安德烈夫反射，但在 (Ga,Mn)As 中观察到了准粒子态密度 (DOS) 展宽，这可能是由于非弹性散射效应所致。在此，我们研究了居里温度约为 10K 的外延生长 (Ga,Mn)Sb 薄膜的自旋极化、磁性和输运性质。测得的自旋极化为 57+/-5%。在 (Ga,Mn)Sb 中也观察到了谱展宽。
引用
@article{arxiv.0710.4277,
title = {Inelastic Scattering and Spin Polarization in Dilute Magnetic Semiconductor (Ga,Mn)Sb},
author = {Raghava P. Panguluri and B. Nadgorny and T. Wojtowicz and X. Liu and J. K. Furdyna},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.4277},
year = {2009}
}
备注
16 pages,4 figures