通过闪光灯退火在 Ge(100) 衬底上获得外延 Mn5Ge3 (100) 层
材料科学
2018-11-28 v1
摘要
Mn5Ge3 薄膜已被证明是锗基自旋电子器件中有前景的自旋注入材料。迄今为止，Mn5Ge3 仅在外延生长于 Ge(111) 衬底上。在本快报中，我们展示了在 Ge(100) 衬底上外延生长 Mn5Ge3 薄膜。该 Mn5Ge3 薄膜是通过在常压下闪光灯退火 20 ms 使 Mn 与 Ge 发生亚秒级固态反应合成的。该单晶 Mn5Ge3 具有铁磁性，居里温度为 283 K。六方 Mn5Ge3 的 c 轴与磁易轴均平行于 Ge(100) 表面。毫秒级闪光外延为制造完全兼容 CMOS 技术的锗基自旋注入器提供了新途径。
引用
@article{arxiv.1810.09809,
title = {Epitaxial Mn5Ge3 (100) layer on Ge(100) substrates obtained by flash lamp annealing},
author = {Yufang Xie and Ye Yuan and Mao Wang and Chi Xu and René Hübner and Jörg Grenzer and Yu-Jia Zeng and Manfred Helm and Shengqiang Zhou and Slawomir Prucnal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.09809},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 5 figures, submitted to Appl. Phys. Lett