嵌入锰稀释锗基体中的Mn$_5$Ge$_3$纳米磁体的记忆效应
材料科学
2009-11-16 v1
摘要
利用锰离子注入在锰稀释的锗基体内形成了晶态Mn5Ge3纳米磁体。在Mn5Ge3的超顺磁阻塞温度以下，观察到温度依赖的记忆效应和慢磁弛豫。我们的发现证实，所观察到的类自旋玻璃特征是由Mn5Ge3纳米磁体的尺寸分布引起的，而非通过锰稀释锗基体的粒子间相互作用所致。
关键词
引用
@article{arxiv.0910.4095,
title = {Memory effect of Mn$_5$Ge$_3$ nanomagnets embedded inside a Mn-diluted Ge matrix},
author = {Shengqiang Zhou and Artem Shalimov and Kay Potzger and Nicole M. Jeutter and Carsten Baehtz and Manfred Helm and Juergen Fassbender and Heidemarie Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.4095},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 4 figures,. submitted to Appl. Phys. Lett