Ge:Mn的自旋玻璃态行为
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
我们对低温分子束外延生长的Ge:Mn稀磁半导体薄膜的磁性质进行了详细研究。我们发现强证据表明Ge_{1-x}Mn_{x}存在冻结态，对于x=0.04和x=0.2的样品，根据场冷和零场冷磁化强度的差异确定的冻结温度分别为T_f=12K和T_f=15K。对于Ge_{0.96}Mn_{0.04}，交流磁化率测量显示在T_f附近有一个峰，峰位T'_f随驱动频率f的变化为Delta T_f' / [T_f' Delta log f] ~ 0.06，而对于Ge_{0.8}Mn_{0.2}样品则观察到更复杂的行为。此外，两个样品在T_f以下切换外磁场大小后均表现出磁化强度的弛豫效应，这与场冷和零场冷磁化强度测量结果定性一致。这些发现一致表明，Ge:Mn在低温下表现出冻结的磁态，并且它不是传统的铁磁体。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604041,
title = {Spin-glass-like behavior of Ge:Mn},
author = {C. Jaeger and C. Bihler and T. Vallaitis and S. T. B. Goennenwein and M. Opel and R. Gross and M. S. Brandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604041},
year = {2007}
}
备注
Revised version contains extended interpretation of experimental data