GaN:Gd：居里温度高于300 K的超稀磁半导体
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们研究了外延GaN:Gd层作为外磁场和温度函数的磁性和磁光性质。在这种稀磁半导体中观察到了前所未有的磁矩。每个Gd原子的平均磁矩值高达4000 \mub，而其原子磁矩为8 \mub。Gd对GaN基质的远程自旋极化也反映在磁光致发光测量的圆偏振中。此外，发现该材料系统在所研究的整个浓度范围（7至2 cm）内，在室温以上具有铁磁性。我们提出了一个唯象模型来理解系统的宏观磁性行为。我们的研究揭示了观察到的铁磁性与Gd的巨大磁矩之间的密切联系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412564,
title = {GaN:Gd: A superdilute ferromagnetic semiconductor with a Curie temperature above 300 K},
author = {S. Dhar and O. Brandt and M. Ramsteiner and V. F. Sapega and K. H. Ploog},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412564},
year = {2009}
}