最佳退火 (Ga,Mn)As 薄膜中的饱和铁磁性与磁化电子缺口
凝聚态物理
2009-11-07 v1
摘要
我们考察了 Mn 浓度对最佳退火 Ga1-xMnxAs 薄膜电子和磁性质的影响，范围为 1.35% < x < 8.3%。铁磁 Curie 温度 T_c、电导率和交换能随 Mn 浓度增加而增大，直到 x ~ 0.05，但在更大的 x 值几乎保持不变，T_c ~ 110 K。铁磁矩每 Mn 离子随 x 的增加而单调减小，暗示越来越多的 Mn 自旋不参与铁磁性。相比之下，推导出的域壁厚度——对于器件设计来说的重要参数—— surprisingly 保持恒定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204250,
title = {Saturated Ferromagnetism and Magnetization Deficit in Optimally Annealed (Ga,Mn)As Epilayers},
author = {S. J. Potashnik and K. C. Ku and R. Mahendiran and S. H. Chun and R. F. Wang and N. Samarth and P. Schiffer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204250},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures, submitted for Rapid Communication in Phys Rev B