低温退火对 Ga1-xMnxAs 的研究
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
对 Ga1-xMnxAs 薄膜进行了高场和低场磁输运测量以及 SQUID 磁化测量。这些薄膜通过低温分子束蒸发生长，并在 various条件下进行退火处理。我们观察到，在约 280°C 的最佳退火温度下，样品的铁磁性得到显著增强。这种最佳退火导致了 Curie 温度的提升，同时伴随导电性和饱和磁化强度的增加。还观察到 Ga1-xMnxAs 在最佳退火条件下的 coercive 场和磁阻率均有所降低。我们认为本文所报告的实验结果与 Ga1-xMnxAs 结构域的变化有关。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207354,
title = {Low temperature annealing studies of Ga1-xMnxAs},
author = {I. Kuryliszyn and T. Wojtowicz and X. Liu and J. K. Furdyna and W. Dobrowolski and J. -M. Broto and M. Goiran and O. Portugall and H. Rakoto and B. Raquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207354},
year = {2007}
}
备注
2-nd International Conference on Physics and Application of Spin Related Phenomena In Semoconductors, Wurzburg 23-26 July 2002, to be published in a special issue of the Journal of Superconductivity/Novel Magnetism