Ga1-xMnxAs的比热研究
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
利用比热测量研究了Ga1-xMnxAs中的磁相变。研究了两种不同类型的Ga1-xMnxAs样品。Mn浓度为1.6%的样品呈现绝缘体行为，而Mn浓度为2.6%的样品为金属性。两种样品的比热温度依赖性均在居里温度附近显示出明显的λ形峰，表明这些样品中存在二级相变。Ga1-xMnxAs样品的比热临界行为与居里温度TC附近具有高斯磁化涨落的平均场行为一致。
引用
@article{arxiv.1006.1023,
title = {Specific heat study of Ga1-xMnxAs},
author = {Sh. U. Yuldashev and Kh. T. Igamberdiev and Sejoon Lee and Y. H. Kwon and T. W. Kang and Yongmin Kim and Hyunsik Im and A. G. Shashkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.1023},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 5 figures