缺陷控制的铁磁性 Ga_{1-x}Mn_xAs 半导体中的磁场效应
材料科学
2009-11-10 v1 强关联电子
摘要
我们研究了孔子和 Mn 子系统磁化随磁场和掺杂浓度的依赖性。使用孔介导相互作用的均匀场近似法，其中孔浓度 p(x) 依据拟合（孔有效质量和孔/局域矩耦合）来拟合实验数据中的 Tc 临界温度。随 x 的磁化值随温度呈现尖锐峰结构，峰值随施加磁场而增大，这表明应用于退核磁性半导体器件需要对 Mn 掺杂组成进行质量控制。我们还比较了不同 Ga_{1-x}Mn_xAs 样品上的 Tc(x) 和 p(x) 实验数据，强调需要进一步详细的实验工作来确保实验测量的可重复性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301184,
title = {Magnetic-field effects in defect-controlled ferromagnetic Ga_{1-x}Mn_xAs semiconductors},
author = {Raimundo R. dos Santos and J. d'Albuquerque e Castro and L. E. Oliveira},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301184},
year = {2009}
}
备注
RevTeX 4, 3 two-column pages, 4 colour figures; to appear in J Appl Phys