稀释铁磁半导体中的空穴浓度
材料科学
2009-11-07 v2 强关联电子
摘要
我们采用均场方法讨论基于 III-V Mn 半导体化合物中空穴介导的铁磁性，以阐述空穴密度与 Mn 位点的比例 x 之间的依赖关系。空穴浓度 p 作为 x 的函数，以 m*J_{pd}^2 的乘积（其中 m* 为空穴有效质量，J_{pd} 为类庞克空穴/局部磁矩耦合）和临界温度 T_c 为参数。通过利用这些量的实验数据，我们建立了空穴浓度随 x 的依赖关系，可与空穴气体中的再入金属-绝缘体转变相关。我们还计算了 Mn 磁化随 x 的依赖情况，对于不同温度 (T)，发现随着 T 升高，组成依赖磁化宽度显著减小，磁化最大值也减小，这表明在稀释磁性半导体器件中对 Mn 掺杂组成的质量控制至关重要。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108245,
title = {Hole concentration in a diluted ferromagnetic semiconductor},
author = {Raimundo R. dos Santos and Luiz E. Oliveira and J. d'Albuquerque e Castro},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108245},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, RevTeX 3; Fig. 1 changed, new references added